任堃
出生日期： 1986年12月
学位： 博士
职称： 讲师
研究方向： 微电子存储材料与器件
代表项目： 集成电路设计工艺协同优化国产化软件/流程开发与验证（尖兵计划）
专利： 纳米薄膜热导率测试结构
详细介绍：
任堃，男，1986年12月生，博士，杭州电子科技大学材料与环境工程学院讲师。2014年毕业于中国科学院大学微电子与固体电子学专业，获博士学位。以第一作者和通讯作者身份在ACSAppliedMaterials&Interfaces、Nanoscale、JournalofMaterialsChemistryC、ScriptaMaterialia、MRSBulletin、AppliedPhysicsLetters等期刊发表论文20余篇。其研究方向包括新型固态存储材料与器件、人工神经网络器件等。截至2022年底，作为项目负责人承担浙江省“尖兵计划”项目，致力于集成电路设计工艺国产化软件开发。+bd
2026-02-18 13:26:40，ID：153463
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